以钻石作为晶种基板，通过氢气和甲烷为主的混合气体，在高温低压的条件下，打入微波能量，含碳气体甲烷被打出游离碳，一点点下雨一样落在晶种上，按照晶种提供的钻石模板整齐排列，一点一点沉积越来越厚，钻石就这样长大了。

（1）热丝CVD（HFCVD）法
HFCVD法存在热丝在高温下容易碳化和变形、容易蒸发出灯丝材料污染沉积出的金刚石，它直接限制了金刚石膜沉积质量的进一步提高，也决定了HFCVD法对光学、电子学应用的会刚石膜的制备不适合，产品仅适用于工具领域和热沉领域。

（2）直流等离子体喷射（DC-PJCVD）法
其主要特点是沉积速率高。但该方法也存在膜厚不均匀和由于气体温度过高造成的温度 控制能力弱等缺点大大降低了膜的质量，目前还处在改进和完善的阶段。

（3）微波等离子CVD（MPCVD）
主要特点是等离子体中电子密度高，产生原子H的浓度大，没有电极污染，能够在较大压力下产生稳定的等离子体，生长的金刚石膜的质量较高，微波法能够制备大面积、高质量的金刚石，是制备 人造金刚石最理想的方法，该方法在国外已经得到了很好的应用，如导弹头罩，光学红外窗口等。


当前美国和欧洲主要生产金刚石膜的公司（如 Norton公司、 Crystallume公司、LambdaTechnologies公司、Element6公司、Fraunhofer 公司、ASTeX公司、Westinghouse电气公司、IBM公司、ApolloDiamond 公司、DeBeer钻石公司等等）都是用微波等离子体 MPCVD方法来 制备金刚石薄膜产品的。微波等离子体 CVD法可以制备面积大、 均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量金刚石薄膜，特别适合 在各种曲面（异形表面）上涂复金刚石薄膜，能制备各种不同需要的金刚石薄膜制品。并且可以原位实施基体与金刚石薄膜之间 的中间层的多种不同处理工艺，适用性强。设备的使用操作简便， 设备本身没有易损易耗件，能长期稳定运行，生产的重复性好。 设备的能耗低，运行成本也低。因此微波等离子体 MPCVD法是当 前世界上研究和制备金刚石薄膜的主流方法。特别是对正在研究 开发电子器件级高纯和可控制掺杂的异质外延金刚石薄膜，微波 等离子体 CVD技术是唯一能达到相应严格工艺要求的制备方法。 所以国际学术界公认“微波等离子体MPCVD法是稳定生长纯的均 匀的高质量金刚石膜的最有前途的技术”。